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Electronic phase diagrams of carriers in self-assembled InAs/GaAs quantum dots: violation of Hund's rule and the Aufbau principle for holes

机译:自组装Inas / Gaas中载流子的电子相图   量子点:违反亨德的规则和奥夫堡的空洞原理

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摘要

We study the orbital and spin configurations of up to six electrons or holescharged into self-assembled InAs/GaAs quantum dots via single-particlepseudopotential and many-particle configuration interaction method. We findthat while the charging of {\it electrons} follows both Hund's rule and theAufbau principle, the charging of {\it holes} follows a non-trivial chargingpattern which violates both the Aufbau principle and Hund's rule, and is robustagainst the details of the quantum dot size. The predicted hole chargingsequence offers a new interpretation of recent charging experiments.
机译:我们通过单粒子伪势和多粒子构型相互作用方法研究了最多六个电子或空穴充入自组装InAs / GaAs量子点的轨道和自旋构型。我们发现,虽然{\ it电子}的电荷遵循洪德法则和奥夫鲍原理,而{\ it空穴}的电荷遵循非平凡的电荷图谱,这既违反了奥夫鲍原理和洪德法则,并且对于量子点大小。预测的空穴充电顺序为最近的充电实验提供了新的解释。

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